開(kāi)路電壓損失(Voc,def)大是制約鋅黃錫礦結(jié)構(gòu)CZTSSe太陽(yáng)能電池效率的關(guān)鍵因素, 目前世界紀(jì)錄效率(12.6%) CZTSSe電池的 Voc,def為0.345 V. 南京郵電大學(xué)辛顥教授等人以SnCl4和SnCl2·2H2O為錫前驅(qū)體,研究了二甲基亞砜(DMSO)溶液法制備的CZTSSe太陽(yáng)能電池的開(kāi)路電壓損失問(wèn)題。
研究發(fā)現(xiàn)不同價(jià)態(tài)的錫前驅(qū)體化合物與有機(jī)配體硫脲(Tu)和溶劑DMSO發(fā)生不同的配位反應(yīng),使得從溶液到CZTSSe吸光層薄膜的反應(yīng)路徑截然不同. Sn2+與Tu配位導(dǎo)致前驅(qū)體薄膜中SnS、 ZnS和Cu2S的生成, 這些硫化物在硒化過(guò)程中首先轉(zhuǎn)化成硒化物而后逐步熔合生成CZTSSe, 其反應(yīng)路徑中多物相的轉(zhuǎn)化和熔合導(dǎo)致薄膜光電性能差, 由該薄膜獲得的最優(yōu)器件有效面積效率僅為 8.84%, Voc,def 為0.391 V. 而Sn4+與DMSO配位, 該前驅(qū)體溶液經(jīng)退火直接得到組成均勻的CZTS前驅(qū)體薄膜。
在硒化過(guò)程中CZTS直接發(fā)生取代反應(yīng)生成CZTSSe, 得到的CZTSSe薄膜組成均勻, 光電性能優(yōu)異, 由該薄膜制備的器件有效面積效率達(dá)到12.2%, Voc,def降低至0.344 V. 此外, CZTSSe薄膜性質(zhì)的不同導(dǎo)致CZTSSe/CdS異質(zhì)結(jié)熱處理(JHT)結(jié)果的不同. JHT顯著提高了Sn4+器件的性能, 卻略微 降低了Sn2+器件的性能。
最終, 由Sn4+溶液獲得了全面積效率為 12.4%, 有效面積效率高達(dá)13.6%, Voc,def低至0.297 V的CZTSSe太陽(yáng)能電池器件。通過(guò)控制溶液中化學(xué)組成獲得組成均勻的CZTS預(yù)制膜是獲得高效CZTSSe電池薄膜材料和降低器件 Voc,def的關(guān)鍵。
本報(bào)道不僅為進(jìn)一步提高CZTSSe電池效率提供了新 的思路, 而且實(shí)現(xiàn)了Voc,def首次低于0.30 V, 預(yù)示了CZTSSe未來(lái)的應(yīng)用前景。
Gong,Y., Zhang, Y., Jedlicka, E. et al. Sn4+ precursor enables 12.4%efficient kesterite solar cell from DMSO solution with open circuit voltagedeficit below 0.30 V. Sci. China Mater. (2020).
https://doi.org/10.1007/s40843-020-1408-x
主辦單位:遼寧優(yōu)選新能源科技有限公司 遼ICP備2023003043號(hào)