全無機(jī)鈣鈦礦量子點(diǎn)CsPbX3（X = Cl, Br, I）因其具有良好的光學(xué)性能，在發(fā)光二極管（LED）領(lǐng)域展現(xiàn)出良好的應(yīng)用前景；然而，基于CsPbX3量子點(diǎn)LED器件性能往往出現(xiàn)效率滾降現(xiàn)象。
鑒于此，吉林大學(xué)鄭偉濤教授和香港城市大學(xué)AndreyL. Rogach教授對產(chǎn)生該現(xiàn)象的原因及其解決策略進(jìn)行了展望。作者對該現(xiàn)象的產(chǎn)生原因進(jìn)行深入的剖析，主要是由電荷注入不平衡以及CsPbX3量子點(diǎn)較低的離子遷移活化能引起；并提出了原子晶體殼層包覆的策略，以CsPbI3量子點(diǎn)為擬研究對象，對其殼層結(jié)構(gòu)的設(shè)計及其合成過程中動力學(xué)和熱力學(xué)等核心要素的調(diào)控進(jìn)行詳細(xì)闡述。
該策略既可以調(diào)節(jié)電荷注入，同時可以抑制CsPbX3量子點(diǎn)離子遷移，從而有效降低效率滾降，提升LED的性能。
Zhang X., Yin W. et al. Perovskite quantum dots with atomic crystal shells for light-emitting diodes with low efficiency roll-off,ACS Energy Lett. 2020, 5, XXX, 2927–2934.
DOI: 10.1021/acsenergylett.0c01560
https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsenergylett.0c01560
