CsPbI3在開發(fā)高效穩(wěn)定的單結(jié)和疊層器件方面具有廣闊的前景。然而，實(shí)現(xiàn)提供良好穩(wěn)定性并與疊層器件兼容的反式器件仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)，而且深入的見(jiàn)解仍然難以理解。鑒于此，2022年8月2日中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所方俊鋒團(tuán)隊(duì)于AM刊發(fā)貧鉛表面拋光用于高效反式CsPbI3鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的研究成果，發(fā)現(xiàn)CsPbI3的表面成分本質(zhì)上是貧鉛的，并且相關(guān)的陷阱是具有局部狀態(tài)的p型。這些深能級(jí)p陷阱在CsPbI3/PCBM界面處引起劣質(zhì)電子轉(zhuǎn)移和嚴(yán)重的非輻射復(fù)合，導(dǎo)致開路電壓(Voc)損失和填充因子(FF)顯著降低。與分子鈍化相比，使用 1,4-丁二胺(DAB)進(jìn)行拋光處理可以消除非化學(xué)計(jì)量成分并根除這些固有的貧鉛陷阱，從而實(shí)現(xiàn)出色的電子轉(zhuǎn)移。拋光處理顯著提高了反式CsPbI3光伏器件的FF和Voc，效率從12.64%提高到19.84%。此外，優(yōu)化后的器件在輸出運(yùn)行1000小時(shí)后仍保持95%的初始效率。