與混合同類鈣鈦礦材料相比，全無機β-CsPbI3具有優(yōu)異的化學和熱穩(wěn)定性，但最先進的β-CsPbI3鈣鈦礦太陽能電池在正常操作條件下（即在惰性光照下）的穩(wěn)定性仍然不如他們的混合同行。在這里，發(fā)現(xiàn)鈣鈦礦/電子傳輸層界面附近CsPbI3中的晶格畸變可以在光照下老化的封裝CsPbI3薄膜中引起多晶型轉(zhuǎn)變。鑒于此，2022年9月22日普林斯頓大學Xiaoming Zhao&Yueh-Lin Loo團隊于ACS Energy Letters刊發(fā)在鈣鈦礦/二氧化鈦界面處具有烷基三甲氧基硅烷應(yīng)變釋放層的無機鈣鈦礦太陽能電池中的吸收體相穩(wěn)定性、性能和壽命得到改善的研究成果。為了抑制這種晶格畸變，在鈣鈦礦/電子傳輸層界面引入了烷基三甲氧基硅烷應(yīng)變釋放層。研究發(fā)現(xiàn)具有最長烷基鏈的應(yīng)變釋放層在減少界面晶格畸變方面最有效，從而增強了鈣鈦礦/電子傳輸層界面處的電荷轉(zhuǎn)移并提高了相/器件的穩(wěn)定性。其在β-CsPbI3太陽能電池中的結(jié)合導致了20.1%的功率轉(zhuǎn)換效率和在最大功率點跟蹤條件下連續(xù)照明下封裝器件外推T80大于3000小時的工作壽命。
