2022年10月17日香港城市大學Hsien-Yi Hsu團隊于AM刊發(fā)揭示鉍基鹵化物鈣鈦礦中帶隙漏斗的界面動力學的研究成果，開發(fā)了一種具有帶隙漏斗結(jié)構(gòu)的環(huán)保型混合鹵化物鈣鈦礦MA3Bi2Cl9-xIx。然而，光電化學(PEC)系統(tǒng)中MA3Bi2Cl9-xIx鈣鈦礦中帶隙漏斗的動態(tài)界面相互作用仍然不明確。鑒于此，分別在存在和不存在帶隙漏斗結(jié)構(gòu)的情況下制備了單鹵化物和混合鹵化物無鉛鉍基混合鈣鈦礦—MA3Bi2Cl9-yIy和 MA3Bi2I9（命名為MBCl-I和MBI）。因此，使用與溫度相關(guān)的瞬態(tài)光致發(fā)光和電化學伏安技術(shù)，證實了MBCl-I和MBI鹵化物鈣鈦礦的固-固和固-液界面的光物理和（光）電化學現(xiàn)象。關(guān)于具有帶隙漏斗結(jié)構(gòu)的混合鹵化物雜化鈣鈦礦MBCl-I，由于電子波函數(shù)的重疊增強而產(chǎn)生的更強的電子耦合導(dǎo)致更有效的激子傳輸。此外，MBCl-I的有效擴散系數(shù)和電子轉(zhuǎn)移速率證明了在固液界面處有效的異質(zhì)電荷轉(zhuǎn)移，從而產(chǎn)生了改進的光電化學制氫。因此，光物理和電化學技術(shù)的這種結(jié)合為探索半導(dǎo)體材料的本征和界面特性開辟了一條途徑，以闡明材料表征和器件性能之間的相關(guān)性。