金屬鹵化物鈣鈦礦在下一代發(fā)光二極管(PeLED)中具有巨大潛力。盡管取得了重大進(jìn)展，但實(shí)現(xiàn)高性能鈣鈦礦LED的關(guān)鍵在于優(yōu)化鈣鈦礦晶體膜與電荷傳輸層之間的界面，尤其是埋底界面，這是鈣鈦礦生長(zhǎng)的起點(diǎn)。鑒于此，2024年8月23日南京工業(yè)大學(xué)夏英東&郭慶勛&陳永華于Nano Letters刊發(fā)調(diào)節(jié)晶粒生長(zhǎng)表面以實(shí)現(xiàn)高效的近紅外鈣鈦礦發(fā)光二極管的研究成果，開(kāi)發(fā)了一種自下而上的鈣鈦礦薄膜調(diào)制策略，使用甲脒乙酸鹽(FAAc)來(lái)增強(qiáng)埋底界面。這種多方面的方法促進(jìn)了高質(zhì)量鈣鈦礦的垂直取向生長(zhǎng)，同時(shí)最大限度地減少了缺陷。同時(shí)，F(xiàn)A⁺和ZnO之間的原位去質(zhì)子化可以消除羥基(-OH)缺陷并調(diào)節(jié)ZnO的能級(jí)。由此產(chǎn)生的FAPbI3-PeLED表現(xiàn)出23.84%的冠軍EQE，具有增強(qiáng)的運(yùn)行穩(wěn)定性和抑制的EQE滾降。該策略還成功擴(kuò)展到其他混合鹵化物鈣鈦礦LED（例如 Cs0.17FA0.83Pb(I0.75Br0.25)3），證明了其作為一種有效且直接的增強(qiáng)鈣鈦礦LED性能的方法的多功能性。